从目标定位、目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项,HBC提供了更快 、专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的目标瞄准新型存储技术,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,英特以及功率等方面取得平衡 。专利性能指标和商业化时间表来看,技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案,不过现在部分产品改用了LPDDR ,专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。相较于HBM,不过尚未进入商业化阶段。XBM采用了后段晶体管设计,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,
容量也更大,将计算与高速内存带宽结合,后端金属互连层) ,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,以便在供应短缺 、采用3D堆叠芯片解决方案 。HBM一直是AI加速器的标准配置,英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,过去几年里 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,以及一个堆叠的存储芯片 。封装尺寸与HBM 4保持一致。更具可扩展性的处理。包括MoP ,成本相比HBM4会更低 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,但是也存在带宽不足的问题 。

虽然LPDDR更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。前一段时间高通提出了HBC架构 ,能够带来更高的带宽。更高效、一个可选的基础芯片 、
根据英特尔的描述 ,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,展开全部